创业邦获悉，3月25日，半导体功率器件厂商安建半导体宣布获1.8亿元B轮融资，本轮融资由超越摩尔投资领投，弘鼎资本、龙鼎投资、联和资本、君盛投资和金建诚投资跟投。
募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。
安建半导体成立于2016年，对标的正是全球前八名的功率半导体企业，其专注于半导体功率器件的研发、设计和销售，是赋能高端芯片国产化的企业之一。
功率半导体是电力设备的核心器件，其主要作用是为电力系统提供变频、变压、变流、电机推动和功率管理等功能。因此，所有的电力设备都需要用到半导体功率器件。目前，MOS管和IGBT是应用最广泛的功率器件，占比90%以上。这两者也是安建半导体的主要业务。
其中，MOS管是基础功率器件的一种升级形式。最早的功率器件是三极管，原理是当基极与发射极为正时导通，反之截止¹；MOS管是人们在三极管基础上的进一步发明，其特殊的结构能够实现高开关频率，但击穿电压²高会增加阻抗，造成较大的损耗；
IGBT则更进一步的中和了MOS管和双极管的性能特性，其可使用的功率范围更宽，可以在MOS管不适用的大电压和大电流场景中使用，但在频率上略有牺牲。
团队方面，创始人单建安本硕博毕业于加拿大多伦多大学电气工程专业，1988年博士毕业后任美国纽约飞利浦研究所高级研究员，1991年回国一同创办香港科技大学，任电子与计算机工程系教授。在港科大任教期间，单建安一直在做功率器件的技术储备和人才培训，2015年受邀参与中国香港上市公司华虹半导体重要会议，会议决定双方绑定合作，次年正式成立安建半导体研发半导体功率器件。
目前，安建半导体的产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中已有三条产品线实现量产，分别是低电压的SGT-MOS管（屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOS管（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管），产品均具有高性能高可靠性。
未来，安建半导体还将针对不同应用场景还将继续开发不同性能和不同规格的产品，实现功率器件所有电压和电流全覆盖，完成做全系列高低压MOS管和IGBT产品的目标。
本轮投资方厦门联和资本投资总监叶振彪表示：功率器件是电力电子设备的心脏，单建安教授组建的安建团队是国内少数从先进功率芯片进行正向研发，从而涉足功率器件以及功率模组业务的优秀公司。
超越摩尔董事总经理史晶星博士表示：功率器件是中国最大概率可以实现弯道超车的赛道，也一直是超越摩尔的重点布局方向之一。
弘鼎创投资深经理潘本闳表示：目前，安建半导体产品主要面向工业场景，这一领域的高电压大电流产品以国外为主，在高性能领域，中国企业面临很高的进入壁垒。安建半导体团队有非常深厚的技术底蕴，产品已经多方认证，看好安建在该领域的国产化替代空间。另外，当下新能车逐步替代燃油车，电的供应成为下一个要考虑的问题，以优化用电的方式提高效能将成为行业趋势，未来该领域将成为安建半导体的一大增长点。
龙鼎投资总经理姚鹏也认为，安建半导体能够在国内落地，适应了时代向汽车电动化以及新能源发展的方向，更弥补了行业的不足。
君盛投资管理有限公司董事总经理邓立军表示，国家“双碳”战略背景下，光伏新能源、电动汽车、工业控制等行业对功率半导体的需求持续旺盛，IGBT、MOSFET等功率半导体具有非常广阔的成长空间。供应链国产化的契机，为国内真正有技术实力的创业公司提供了绝佳的机会。
