苏州女博士,干出870亿半导体王国

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这位从美国宇航局走出的女科学家,已经在中国半导体产业史上写下了浓墨重彩的一笔。

编者按:本文来自微信公众号 邱处机(ID:qiuchuji_1993),作者:邱鑫浩,创业邦经授权转载。

2025年夏天,一份英伟达供应链名单,在半导体行业引起轩然大波。

在清一色欧美日老牌厂商中,低调出现了一个陌生的中国名字:英诺赛科。

从美国宇航局首席科学家,到中国氮化镓功率半导体全球第一的创业者,英诺赛科创始人骆薇薇用八年时间,完成了从0到1的突破和逆袭。

截至2025年9月23日收盘,英诺赛科市值已高达875亿港元,成为了全球氮化镓功率半导体领域的龙头。

而这一切,始于2015年那个不被看好的决定。

“跳入火坑”

2015年,当骆薇薇决定回国创业时,身边几乎没有人看好她的选择。

有人甚至直言不讳地告诉她:回国创业是“火坑”,不要往里跳。最终,只有一名员工愿意追随她回国。

骆薇薇毕业于新西兰梅西大学应用数学专业,拥有博士学位。在美国宇航局(NASA)工作15年后,她先后创办了两家以新材料为核心业务的高科技公司。

凭借对行业的判断,骆薇薇在2015年带着第三代半导体氮化镓的梦想回到了中国。

彼时,全球第三代半导体发展仍处于早期阶段,氮化镓还没有大规模商业化应用。更让业内惊讶的是,骆薇薇选择了一条与众不同的技术路径——当大多数企业还在采用6英寸或4英寸工艺时,她毅然决定直接攻关8英寸硅基氮化镓晶圆技术。

这一选择背后是巨大的风险与回报。相较于6英寸硅基氮化镓晶圆,8英寸的晶圆晶粒产出数能够增加80%,单一器件成本可降低30%。但实现难度也呈指数级增加,按照专业评估,这可能需要9年时间才能实现量产。

“经验不会成为发展的瓶颈和壁垒。”骆薇薇凭借在NASA十五年的工作经验,坚定地认为这个世界上并没有太多不可完成的事情。

2015年12月,骆薇薇在珠海成立公司,作为小规模生产基地运营。随着研发取得进展,产能逐渐无法满足需求。2017年,她在苏州正式成立英诺赛科,转向大规模产业化。

骆薇薇带领英诺赛科攻克了一个又一个技术难关。公司不仅成为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业,也是全球唯一能够规模量产全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的公司。

这一突破填补了行业空白,完善了我国半导体产业链的布局。

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与6英寸硅基氮化镓晶圆相比,英诺赛科的8英寸晶圆具备明显的成本优势,这让它在市场竞争中占据了有利位置。

根据弗若斯特沙利文的资料,按2023年收入计算,英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一,市场份额高达33.7%。若按折算氮化镓分立器件出货量计算,英诺赛科更是稳居全球第一,2023年市占率达到42.4%。

英诺赛科的产品,目前覆盖消费电子、可再生能源、工业应用、汽车电子及数据中心等多个领域。其中,氮化镓分立器件及集成电路的销售增长迅猛,2024年营业额增长87.8%至3.61亿元,占总营业额的43.5%。

资本助力

英诺赛科上市之前,完成了五轮融资,总额超过60亿元。这一数字在中国半导体创业公司中比较罕见。

值得注意的是,在C轮融资中,宁德时代创始人曾毓群以个人名义向英诺赛科投资了2亿元。截至上市前,曾毓群已将这部分股权交由其妻子持有,持股比例为1.78%。

英诺赛科能够吸引如此多资本的支持,不仅因为其技术领先,也因其产品在新能源车领域有广泛应用。事实上,在英诺赛科2023年近6亿元的营收中,来自宁德时代的贡献度超过了3成。

另外,骆薇薇选择将公司落户苏州,绝非偶然。

苏州早在2002年就开始推动集成电路设计、制造、封装测试等关联产业的布局和落地。如今,苏州已成为国内第三代半导体产业资源集聚度和产业化程度最高的区域之一。

“机会总是留给有准备的人。”苏州在集成电路产业的长期布局,使其成为英诺赛科发展的理想之地。从英诺赛科落地苏州的起始资金,到IPO的基石投资,苏州都给予了大力支持。

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2024年12月,英诺赛科在港交所主板挂牌上市,发行价为30.86港元/股,募资总额约14亿港元。此次上市引入了意法半导体、江苏国企混改基金等四名基石投资者,合计认购金额1亿美元,超过了IPO募资总额的一半。

上市后,英诺赛科继续扩大产能优势。2025年7月,公司宣布将8英寸氮化镓晶圆月产能从1.3万片扩大至2万片。此前英诺赛科曾表示,未来五年内计划将月产能提升到7万片。

与此同时,英诺赛科宣布与意法半导体签署联合开发协议,共同推动氮化镓技术在消费电子、数据中心、汽车及工业电源系统等领域的应用。

根据协议,英诺赛科可使用意法半导体在中国以外地区的制造产能生产其氮化镓晶圆,意法半导体也可利用英诺赛科在中国的制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。

这一合作不仅增强了英诺赛科的供应链灵活性,也体现了国际半导体巨头对其技术实力的认可。

广阔前景

氮化镓作为第三代半导体材料的佼佼者,凭借高频、高耐压和高电子迁移率等性能优势,在电动汽车、数据中心、光伏发电站等领域展现出广阔的应用前景。

根据弗若斯特沙利文的数据,预计到2028年,全球氮化镓功率半导体市场规模将达到501亿元人民币,占全球功率半导体市场的10.1%。

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英诺赛科的产品在新能源汽车领域已有广泛应用。

其车规级GaN芯片已进入比亚迪、蔚来等车企供应链,覆盖车载激光雷达、OBC(车载充电器)等中低功率场景。2025上半年,英诺赛科车规级芯片交付量同比增长128%。

而在AI与数据中心领域,与英伟达达成合作后,英诺赛科将为其800V直流电源架构,提供全链路的氮化镓电源解决方案,这让它有望占据未来数据中心供电系统改造市场20%-30%的份额。

另外,英诺赛科在消费电子、人形机器人等领域也展现出强劲的增长势头。

尽管英诺赛科目前仍处于亏损状态,但亏损幅度在逐步收窄。财报显示,公司2025上半年实现销售收入5.53亿元,同比增长43.4%;净亏损约4.29亿元,同比收窄12.16%。

更重要的是,公司毛利率为6.8%,对比2024年同期实现毛利率转正,显示出盈利能力的显著提升。

随着全球第三代半导体市场进入繁荣期,英诺赛科正迎来发展的黄金阶段。骆薇薇表示,公司将继续扩大产能、加强研发,并拓展全球销售网络。

这位从美国宇航局走出的女科学家,已经在中国半导体产业史上写下了浓墨重彩的一笔。

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