融资 | 瞄准AI芯片供电与高速光模块,头部硅电容企业森丸电子完成亿元A轮融资

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森丸电子
江苏智能制造
半导体研发商
最新融资:B2轮|未披露|2026-07-30
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资金将主要用于硅电容及IPD平台技术开发、产能建设及全球市场拓展,加速硅电容在高端光模块及AI芯片垂直供电等应用场景的大规模商业化落地。

晶圆级无源器件企业「森丸电子」近日完成亿元A轮融资。本轮由知名光模块产业方、耀途资本联合领投,顺融资本跟投。

资金将主要用于硅电容及IPD平台技术开发、产能建设及全球市场拓展,加速硅电容在高端光模块及AI芯片垂直供电等应用场景的大规模商业化落地。

森丸电子成立于2021年,总部位于苏州,是国内首家实现晶圆级无源器件量产的IDM企业。公司以“集成无源,连接未来”为核心理念,以半导体工艺为底层技术基座,将电容、电感、电阻等无源器件从传统的分立贴装模式,推向硅基集成化的技术范式,面向AI算力网络中"供电"与"互联"两大核心瓶颈提供芯片级解决方案。

团队核心成员深耕硅电容及IPD集成无源领域多年,覆盖从器件设计、工艺开发到晶圆制造的完整自主技术体系。团队成员此前在消费级、工业级IPD器件及硅电容量产中积累了完整的可靠性验证与供应链管理经验。

目前,森丸电子持续向头部客户交付硅电容,良率稳定在95%以上,产能达到2亿颗/月,产品性能比肩村田等国际一线厂商。


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全品类晶圆级无源器件产品

近年来,AI算力需求爆发正以前所未有的速度重构半导体产业链。从GPU到ASIC,AI加速芯片的功耗已从数百瓦向千瓦级攀升,单颗芯片的瞬态电流需求动辄数百安培。与此同时,800G乃至1.6T高速光模块作为AI训练与推理集群的核心互联节点,正朝着更高速率、更小尺寸、更低功耗的方向快速迭代。

传统芯片供电采用侧向供电架构,电源管理芯片与主芯片之间的供电路径较长,寄生电感和电阻在数百安培的瞬态负载下产生显著的电压波动与IR压降,直接制约芯片性能释放。尤其在GPU等大算力芯片中,去耦电容的数量与摆放空间已成为封装设计的刚性约束,"电容放不下"正成为与"算力不够"同等量级的工程难题。

与传统MLCC(多层陶瓷电容)相比,硅电容基于半导体晶圆工艺制造,在单位面积电容密度、高频去耦性能及ESL/ESR等核心指标上具备量级优势,且尺寸更薄、更小,天然适配高密度封装与垂直供电架构。

在垂直供电架构中,电源管理芯片与去耦电容被置于主芯片正下方或紧邻位置,供电路径从厘米级缩短至毫米级,寄生阻抗大幅下降。硅电容作为高频去耦层,能够就近吸收瞬态电流波动,保障芯片在全负载下的电压稳定性。这意味着,同样的芯片封装面积下,可以释放更多有效算力,同时降低整体系统能耗。

而在高端光模块领域,硅电容的价值同样不可替代。800G/1.6T光模块内部空间极为紧凑,传统分立电容在体积和性能上已难以满足高速信号完整性与电源完整性的双重要求。硅电容的超薄封装与高频特性,使其成为光模块电源管理网络的理想选择。

同时,森丸电子的硅基IPD集成基板可将多个无源器件一体化集成于硅基板上,减少外部贴装元器件数量,进一步压缩模块体积、提升系统可靠性。


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硅基板IPDchip on carrier

从技术逻辑看,硅电容与IPD集成基板的结合,本质上是将无源器件从"板级组装"推进到"晶圆级集成"。

这一跃迁不仅是性能提升,更带来商业模式的结构性变化——当电容不再是被动物料,而是成为芯片封装架构的重要组成部分,其产业位势将从传统被动元器件供应商,上升为系统级封装链路中的关键环节。

行业层面,硅电容目前由日本、欧洲少数厂商主导,国产化率极低。随着AI算力供应链安全诉求日益迫切,国产硅电容在技术指标、量产良率和成本控制上的追赶窗口正在打开。

硅电容的国产替代不会是一步到位的,而是沿着高价值场景逐层渗透——先在光模块和AI供电这两个高端场景建立口碑和量产能力,再以成本和交付优势向更多领域扩散。这条路径走通后,壁垒不是某一项专利,而是“懂场景+能量产+有客户”的系统性能力组合。

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